درباره سیلیکون کاربید

کاربید سیلیکون (SiC) یک ترکیب نیمه هادی متشکل از سیلیکون (Si) و کربن (C) است که به خانواده مواد باند پهن (WBG) تعلق دارد. نیروی اتصال فیزیکی آن بسیار قوی است و به نیمه هادی پایداری مکانیکی، شیمیایی و حرارتی بالایی می بخشد. شکاف گسترده و پایداری حرارتی بالا به دستگاه‌های SiC اجازه می‌دهد در دمای اتصال بالاتر از سیلیکون، حتی بیش از 200 درجه استفاده شوند. مزیت اصلی کاربید سیلیکون در کاربردهای برق مقاومت در ناحیه رانش کم آن است که یک عامل کلیدی در دستگاه های برق با ولتاژ بالا است.

ماسه ساینده کاربید سیلیکون یک ماده ساینده مهم با ترکیب شیمیایی و ویژگی های ساختاری خاص است. ماسه ساینده کاربید سیلیکون از ذرات کاربید سیلیکون تشکیل شده است، سطح ذرات چند ضلعی یا دایره ای است و دارای سختی و مقاومت در برابر سایش بسیار بالایی است. این به طور گسترده در پردازش فلز، تولید سرامیک، پردازش شیشه و سایر زمینه ها استفاده می شود و به یک ابزار سنگ زنی مهم تبدیل شده است.

شن و ماسه ساینده کاربید سیلیکون دارای ویژگی های منحصر به فرد بسیاری است که اولین آن سختی بسیار بالای آن است. با توجه به ساختار ویژه ذرات کاربید سیلیکون، سختی آن نزدیک به الماس است که می تواند ثبات خوبی را تحت اصطکاک با سرعت بالا و فشار بالا حفظ کند، بنابراین می تواند به طور موثر از سایش و خرد شدن ذرات در طول فرآیند سنگ زنی جلوگیری کند.

ثانیا، ماسه ساینده کاربید سیلیکون مقاومت خوبی در دمای بالا دارد. از آنجایی که کاربید سیلیکون خود مقاومت در برابر درجه حرارت بالا بسیار خوبی دارد، بنابراین شن و ماسه سنگ زنی کاربید سیلیکون در محیط دمای بالا همچنان می تواند ثبات و اثر سنگ زنی را حفظ کند، زخم و تغییر شکل آسان نیست، مناسب برای پردازش سنگ زنی مواد با دمای بالا.

علاوه بر این، ماسه ساینده کاربید سیلیکون نیز دارای ضریب انبساط حرارتی پایین و پایداری شیمیایی عالی است. این بدان معنی است که در فرآیند سنگ زنی، شن و ماسه سنگ زنی کاربید سیلیکون می تواند شکل و اندازه خود را ثابت نگه دارد و به راحتی تحت تأثیر محیط خارجی قرار نگیرد. در عین حال، ماسه سنگ زنی کاربید سیلیکون مقاومت خوبی در برابر اسیدها، قلیایی ها و سایر مواد شیمیایی دارد و می تواند به طور موثر عمر ابزارهای سنگ زنی را افزایش دهد.

ترکیب سیلیکون و کربن به این ماده خواص مکانیکی، شیمیایی و حرارتی برجسته ای می بخشد، از جمله:

هدایت حرارتی بالا
انبساط حرارتی کم و مقاومت در برابر شوک حرارتی عالی
کم قدرت و تلفات سوئیچینگ
راندمان انرژی بالا،
فرکانس کاری و دمای بالا (دمای کاری تا گره 200 درجه)
اندازه تراشه کوچک (ولتاژ شکست یکسان)
دیود داخلی (MOSFET)
مدیریت حرارتی عالی برای کاهش نیاز به سرمایش
زندگی طولانی